Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS5670, 60В, 10А, SO8 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS5670 — это полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе SO8. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 10 А при мощности рассеивания 2,5 Вт.

• Тип: N-MOSFET, полевой транзистор
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 10 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 27 мОм
• Корпус: SO8, поверхностный монтаж
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 10 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 27 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена 2,5 Вт, а напряжение затвор-исток не должно превышать 20 В.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе SO8. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Канал транзистора является обогащенным (enhancement mode), а полярность — униполярной.

Заряд и управление затвором

Заряд затвора составляет 70 нКл. Канал транзистора является обогащенным, поэтому для открывания требуется положительное напряжение на затворе относительно истока. Полярность прибора — униполярная. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено 20 В.