Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF12N50T, 500 В, 6,9 А, TO220FP (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF12N50T — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 500 В и ток 6,9 А. Прибор выполнен в корпусе TO220FP с технологией UniFET™ и поставляется набором из 20 штук.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 6,9 А
• Максимальная мощность рассеивания: 42 Вт
• Корпус: TO220FP, тип монтажа: вставной
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимально допустимый ток стока 6,9 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 650 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания равна 42 Вт. Транзистор выполнен в корпусе TO220FP с типом монтажа — вставной. Используется технология UniFET™, канал является обогащенным. Поляризация прибора — униполярная.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов FDPF12N50T. Символ TME: FDPF12N50T. Заряд затвора составляет 30 нКл.