Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP52N20, 200В, 33А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP52N20 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 33 А при мощности рассеивания 357 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 33 А
• Максимальная мощность рассеивания: 357 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 49 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж выводной
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 200 В и максимально допустимый ток стока 33 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 357 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 49 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Комплектация и дополнительные параметры

В наборе поставляется 10 транзисторов FDP52N20.