Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN5618P, SuperSOT-3, -60 В, -1,25 А (комплект 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN5618P в корпусе SuperSOT-3. Это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий при напряжении затвор-исток до 20 В и имеющий сопротивление в открытом состоянии 230 мОм.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: SuperSOT-3
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 230 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 0,46 Вт
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение затвор-исток 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 230 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 0,46 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 предназначен для поверхностного монтажа. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Дополнительные характеристики и комплектация

В комплекте поставляется 40 шт. транзисторов. Заряд затвора составляет 13,8 нКл. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level).