Транзистор ONSEMI FDN358P, P-MOSFET, SuperSOT-3, 30 шт.
2 010 ₴
- В наличии
- Код: TM202806
Транзистор ONSEMI FDN358P, P-MOSFET, SuperSOT-3, 30 шт.В наличии
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI FDN358P — это полевой P-MOSFET в корпусе SuperSOT-3. Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип транзистора: Полевой
- Корпус: SuperSOT-3
- Мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 200 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 0,5 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 200 мОм.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный. Корпус компонента — SuperSOT-3. Используется технология PowerTrench®.
Дополнительные характеристики и комплектация
В наборе 30 шт. Заряд затвора составляет 5,6 нКл. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level). Канал обогащенного типа (enhancement mode). Поляризация — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴