Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P, SuperSOT-3, набор 30 шт.
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM202805
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P, SuperSOT-3, набор 30 шт.В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P в корпусе SuperSOT-3. Это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией PowerTrench®, предназначенный для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SuperSOT-3
- Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 320 мОм
- Заряд затвора: 5 нКл
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры и характеристики
Максимальная мощность рассеивания составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 320 мОм. Заряд затвора — 5 нКл. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level) и канал обогащения.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SuperSOT-3 с типом монтажа «поверхностный». Изделие является однополярным (unipolar) и изготовлено по технологии PowerTrench®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴