Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P, -20 В, -1,5 А, 0,5 Вт, SuperSOT-3 (набор 50 шт.)
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM202804
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P, -20 В, -1,5 А, 0,5 Вт, SuperSOT-3 (набор 50 шт.)В наличии
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P в корпусе SuperSOT-3, технология PowerTrench®. Основные параметры — -20 В и -1,5 А, максимальная мощность рассеивания — 0,5 Вт. В наборе 50 шт.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Параметры: -20 В, -1,5 А
- Мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 190 мОм
- Корпус: SuperSOT-3
- Количество в наборе: 50 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 190 мОм, заряд затвора — 5,4 нКл. Особенность — управление логическим уровнем (logic level).
Конструкция
Тип монтажа — поверхностный. Полярность — униполярный, режим канала — обогащение.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 910 ₴