Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS8460, 40 В, 49 А, PQFN8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS8460 — это полевой транзистор с каналом типа N. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 40 В и ток стока 49 А. Корпус PQFN8 обеспечивает поверхностный монтаж на печатную плату.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 В
• Максимально допустимый ток стока: 49 А
• Максимальная мощность рассеивания: 104 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 3.3 мОм
• Корпус: PQFN8, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор FDMS8460 характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 40 В и максимально допустимым напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 49 А, а максимальная мощность рассеивания — 104 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.3 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PQFN8, что предполагает поверхностный тип монтажа (SMD). Технология производства PowerTrench®. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный (enhancement mode).

Технические особенности и комплектация

Товар поставляется в виде набора, содержащего 20 единиц транзисторов FDMS8460. Заряд затвора составляет 110 нКл.