Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD120AN15A0, 150 В, 14 А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD120AN15A0 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 14 А при мощности рассеивания 65 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 В
• Максимально допустимый ток стока: 14 А
• Максимальная мощность рассеивания: 65 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 282 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 150 В и максимально допустимый ток стока 14 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 65 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 282 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено значением 20 В.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.

Комплектация

В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.