Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC606P в корпусе SuperSOT-6. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 1,6 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 53 мОм
- Корпус: SuperSOT-6
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,6 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 53 мОм.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный. Корпус — SuperSOT-6. Технология изготовления — PowerTrench®.
Дополнительные характеристики и комплектация
В комплекте 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴

