P-канальный полевой транзистор ONSEMI FDC602P в корпусе SuperSOT-6. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 1,6 Вт и сопротивление в открытом состоянии 53 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SuperSOT-6
- Тип монтажа: поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 1,6 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 53 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный» и полярностью «униполярный». Максимальная мощность рассеивания составляет 1,6 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 53 мОм.
Комплектация
В наборе поставляется 30 транзисторов. Корпус компонента — SuperSOT-6.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 620 ₴

