Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB52N20TM, 200 В, 52 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB52N20TM — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 52 А. Прибор изготовлен по технологии UniFET™ в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 52 А
• Максимальная мощность рассеивания: 357 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 49 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 52 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 49 мОм. Общая мощность рассеивания — 357 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет тип монтажа «Поверхностный» и выполнен в корпусе D2PAK. Прибор является униполярным с каналом обогащения. Технология изготовления — UniFET™.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов.