Транзистор N-MOSFET EVERLIGHT EL-MAKR02120PA SiC 1200В 90А

Транзистор N-MOSFET от бренда EVERLIGHT, модель EL-MAKR02120PA. Это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Ключевые параметры: напряжение 1200 В, ток стока 90 А и мощность рассеивания 465 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Технология изготовления: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Максимальный ток стока: 90 А
• Мощность рассеивания: 465 Вт
• Корпус: TO247-4 с выводом Кельвина

Электрические параметры

Прибор работает с максимально допустимым напряжением затвор-исток 18 В и напряжением сток-исток 1200 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 90 А, а импульсный ток может достигать 231 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 50 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-4. Тип монтажа — вставной. Корпус имеет вывод Кельвина. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. Заряд затвора составляет 0,22 мкКл.