Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMPH6050SK3-13, набор 20 шт., TO252

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMPH6050SK3-13 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа.

• Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
• Максимальная мощность рассеивания: 3,8 Вт
• Напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 70 мОм
• Корпус: TO252
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, а максимальная мощность рассеивания — 3,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 70 мОм. Согласно данным магазина, максимальный ток в импульсе (Idm) — -40 А, а заряд затвора — 25 нКл. Максимальное напряжение сток-исток (Vds) составляет -60 В, а постоянный ток стока (Id) — -6 А.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет тип монтажа «Поверхностный» (SMD) и корпус TO252. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный (enhancement). Корпус: TO252.