Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET от бренда DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель DIW120SIC022-AQ. Это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3 с током стока 85 А.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Максимальный ток стока: 85 А
• Мощность рассеивания: 340 Вт
• Корпус: TO247-3

Электрические параметры

Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 18 В и максимальный ток стока 85 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 28 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 340 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной (THT). Канал встроенный (обогащенный), полярность униполярная. Импульсный ток составляет 250 А, заряд затвора — 269 нКл. Прибор предназначен для автомобильной отрасли.