Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-4

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC022-AQ изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 85 А.

• Технология SiC
• Максимальное напряжение 1200 В
• Ток стока 85 А (импульсный 250 А)
• Сопротивление Rds 28 мОм
• Корпус TO247-4 с выводом Кельвина
• Мощность рассеивания 340 Вт

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 18 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 28 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 340 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — выводной (THT). Импульсный ток может достигать 250 А, а заряд затвора составляет 269 нКл. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. Компонент предназначен для использования в автомобильной промышленности.