Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2, 650 В, 120 А, 893 Вт, TO247PLUS (набор 2 шт.)
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM202590
Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2, 650 В, 120 А, 893 Вт, TO247PLUS (набор 2 шт.)В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2 в корпусе TO247PLUS: напряжение коллектор-эмиттер — 650 В, ток коллектора — 120 А, мощность рассеивания — 893 Вт. В наборе 2 шт.
- Тип: транзистор IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 120 А
- Мощность рассеивания: 893 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Корпус: TO247PLUS
Электрические параметры
Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В, заряд затвора — 0,86 мкКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.
Монтаж
Тип монтажа — вставной.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 893 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 360 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247PLUS |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴