Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 910 ₴
- В наличии
- Код: TM202519
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 200 А
- Максимальная мощность рассеивания: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 6,6 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 200 А, а импульсный ток — 400 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 6,6 мОм.
Конструкция и монтаж
Устройство изготовлено по технологии NexFET™ и имеет униполярную структуру. Монтаж осуществляется поверхностным способом (SMD) в корпусе D2PAK. Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт.
Тип и канал управления
В наборе поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 910 ₴