Диод ONSEMI BYW51-200G — это полупроводниковый прибор коммутационного типа в корпусе TO220AB. Производитель указывает максимальное постоянное обратное напряжение 200 В и максимальный прямой ток 16 А.
- Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В
- Максимальный прямой ток: 16 А
- Максимально допустимый прямой импульсный ток: 100 А
- Время восстановления: 35 нс
- Корпус: TO220AB
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Диод имеет максимальное постоянное обратное напряжение 200 В и максимальный прямой ток 16 А. Максимально допустимый прямой импульсный ток составляет 100 А. Время восстановления (recovery time) равно 35 нс.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO220AB с толщиной радиатора 1.15–1.39 мм. Структура полупроводника — двойная с общим катодом. Тип монтажа — выводной (THT).
Особенности работы
Полупроводниковый элемент характеризуется свойством «сверхбыстрое переключение». Это определяет скорость перехода диода в состояние проводимости и запирания.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 100 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 200 В |
| Максимальный прямой ток | 16 А |
| Состояние | Новое |
| Дополнительные характеристики | |
| Тип монтажа | Вставной |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 35 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Толщина радиатора | 1.15–1.39 мм |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴

