Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP4N60D, 600 В, 2,5 А, TO252 (набор 50 шт.)

Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP4N60D — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO252 для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 50 единиц.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 2,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 77 Вт
• Корпус: TO252 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 2,5 А, при этом импульсный ток может достигать 16 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2500 мОм.

Мощность

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 77 Вт. Корпус: TO252.

Комплектация

В наборе поставляется 50 транзисторов Bridgelux BXP4N60D. Тип монтажа: поверхностный. Поляризация: униполярная. Тип канала: обогащенный. Заряд затвора: 13,2 нКл.