
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, SOT-323, 0,25 Вт (70 шт.)
2 050 ₴
- В наличии
- Код: TM202373
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSS223PWH6327XTSA1. Это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа в корпусе PG-SOT-323. Комплект состоит из 70 единиц.
- Тип транзистора: полевой P-MOSFET
- Корпус: PG-SOT-323
- Мощность рассеивания: 0,25 Вт
- Напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 1200 мОм
- Количество в комплекте: 70 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 0,25 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 1200 мОм. Согласно данным магазина, максимальный ток стоков — -0,39 А, а напряжение — -20 В.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ P. Корпус: PG-SOT-323. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Комплектация
В наборе поставляется 70 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | PG-SOT-323 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴
