Транзистор P-MOSFET Infineon BSP92PH6327XTSA1, набор 30 шт.
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM202369
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP92PH6327XTSA1, набор 30 шт.В наличии
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSP92PH6327XTSA1. Это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа в корпусе PG-SOT223. В комплекте поставляется 30 единиц.
- Тип монтажа: поверхностный
- Корпус: PG-SOT223
- Максимальная мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Технология: SIPMOS™
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и максимальную мощность рассеивания 1,8 Вт. Согласно данным продавца, устройство характеризуется напряжением -250 В и током -0,26 А. Технология изготовления — SIPMOS™.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Тип транзистора — полевой, униполярный, с каналом обогащения.
Комплектация
В наборе содержится 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 470 ₴