Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1, -100 В, -1 А, 1,8 Вт (набор 30 шт.)
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM202368
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1, -100 В, -1 А, 1,8 Вт (набор 30 шт.)В наличии
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1 — полевой униполярный транзистор P-MOSFET в корпусе PG-SOT223, тип монтажа — поверхностный. Параметры в названии TME: -100 В; -1 А; 1,8 Вт. В наборе 30 шт.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Корпус: PG-SOT223
- Мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Напряжение затвор-исток (макс.): 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 800 мОм
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания — 1,8 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 800 мОм.
Технология
Технология — SIPMOS™. Тип канала — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 400 ₴