Транзистор P-MOSFET Infineon BSP317PH6327XTSA1, 20 шт., корпус PG-SOT223
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM202367
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP317PH6327XTSA1, 20 шт., корпус PG-SOT223В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSP317PH6327XTSA1. В комплекте 20 штук, корпус PG-SOT223, монтаж поверхностный.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT223
- Максимальная мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 4000 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,8 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 4000 мОм.
Конструкция и монтаж
Тип транзистора — полевой. Технология изготовления — SIPMOS™. Корпус — PG-SOT223, тип монтажа — поверхностный.
Комплектация
В наборе 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴