Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSO211PHXUMA1. Это полевой транзистор с каналом p-типа (обогащенного типа) в корпусе PG-DSO-8 для поверхностного монтажа. В комплекте 70 единиц.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: PG-DSO-8
- Максимальная мощность: 1,6 Вт
- Напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 67 мОм
- Количество в комплекте: 70 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,6 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 67 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ P. Корпус PG-DSO-8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Тип монтажа — поверхностный.
Комплектация
В наборе 70 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 67 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴

