Транзистор N/P-MOSFET Infineon BSL316CH6327XTSA1, 30 В, 1,4 А, 0,5 Вт (набор 30 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSL316CH6327XTSA1. Это транзисторы N/P-MOSFET в корпусе PG-TSOP-6 с максимальным током 1,4 А и мощностью рассеивания 0,5 Вт.

• Тип транзистора: полевой (MOSFET), N/P-каналы
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Ток стока: 1,4 А (N) / -1,5 А (P)
• Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
• Корпус: PG-TSOP-6, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзисторы имеют униполярную структуру с каналом типа обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, а напряжение сток-исток — 30 В для N-канала и -30 В для P-канала. Ток стока равен 1,4 А для N-канала и -1,5 А для P-канала. Сопротивление в состоянии проводности составляет 0,191 Ом для N-канала и 0,177 Ом для P-канала.

Конструкция и монтаж

Компоненты изготовлены по технологии OptiMOS™ 2. Корпус PG-TSOP-6 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная мощность рассеивания ограничена 0,5 Вт.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 30 транзисторов. Символ производителя: BSL316CH6327XTSA1.