Транзистор биполярный NPN Infineon BCR112E6327HTSA1, SOT23, 50 В, 0,1 А (набор 70 шт.)

Биполярный транзистор NPN типа BRT от производителя Infineon Technologies, модель BCR112E6327HTSA1. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SOT23, имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А.

• Тип транзистора: биполярный NPN
• Корпус: SOT23, монтаж поверхностный
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
• Граничная частота передачи: 140 МГц
• Максимальная мощность рассеивания: 0,2 Вт
• Встроенные резисторы: 4,7 кОм
• Количество в наборе: 70 шт.

Электрические параметры

Граничная частота передачи составляет 140 МГц. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а максимальный ток коллектора — 0,1 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,2 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23 с типом монтажа «поверхностный» (SMD). Компонент имеет встроенные резисторы база-эмиттер и эмиттер-база номиналом 4,7 кОм.

Комплектация

Товар поставляется набором из 70 штук.