Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOKS40B65H2AL, 650 В, 40 А, 105 Вт, TO247 (набор 10 шт.)

Транзистор IGBT производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, модель AOKS40B65H2AL. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247 с максимальным током коллектора 40 А и напряжением коллектор-эмиттер 650 В. В комплекте поставляется 10 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
• Максимальная мощность рассеивания: 105 Вт
• Корпус: TO247, выводной монтаж
• Энергия выключения: 0,54 мДж, включения: 1,17 мДж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 40 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 105 Вт. Согласно данным производителя, энергия выключения равна 0,54 мДж, а энергия включения — 1,17 мДж.

Конструкция и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Согласно данным, это IGBT-транзистор. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 2,05 В. Заряд затвора равен 61 нКл.

Комплектация

В наборе содержится 10 транзисторов.