Транзистор N-JFET Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F), SC59, 0.15 Вт, 6.5 мА (набор 30 шт.)

Транзистор N-JFET Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F) в корпусе SC59. Это полевой транзистор с максимальной мощностью рассеивания 0.15 Вт и током стока 6.5 мА.

• Тип транзистора: N-JFET (полевой)
• Корпус: SC59, поверхностный монтаж
• Максимальная мощность: 0.15 Вт
• Максимальный ток стока: 6.5 мА
• Ток управления (Igt): 10 мА
• Количество в наборе: 30 шт.

Электрические параметры

Устройство представляет собой полевой транзистор типа N-JFET. Максимальная мощность рассеивания составляет 0.15 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимый ток стока равен 6.5 мА. Согласно данным магазина, ток управления (Igt) составляет 10 мА.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен для поверхностного монтажа (SMD). Корпус SC59 является стандартным для компактных электронных узлов. Компонент является униполярным, что влияет на схему его подключения.

Комплектация

В наборе поставляется 30 транзисторов Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F).