Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002KT1G, 60 В, 0,38 А, SOT23 (набор 100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002KT1G — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Комплект содержит 100 единиц.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Максимальный ток стока: 0,38 А
• Корпус: SOT23, монтаж поверхностный
• Мощность рассеивания: 0,42 Вт
• Количество в комплекте: 100 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 0,38 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2500 мОм.

Конструкция и монтаж

Тип монтажа — поверхностный (SMD). Корпус — SOT23. Максимальная мощность рассеивания — 0,42 Вт. Заряд затвора — 0,7 нКл.

Канал и заряд затвора

Тип канала — обогащенный (enhancement mode). Заряд затвора составляет 0,7 нКл, что определяет скорость переключения и энергопотребление при управлении сигналом. Транзистор является униполярным, то есть управляется напряжением на затворе без постоянного тока управления в стационарном состоянии. В наборе 100 транзисторов.