Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET7G, 60 В, 220 мА, SOT23 (набор 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET7G — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Комплект содержит 150 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 220 мА
• Максимальная мощность рассеивания: 0,42 Вт
• Корпус: SOT23 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 150 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 220 мА (0,22 А), а в импульсном режиме — 1,2 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 3000 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания — 0,42 Вт. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).