Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002DWH6327XTSA1, 60В, 0.3А, SOT-363 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель 2N7002DWH6327XTSA1. Это двойной полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе PG-SOT-363, предназначенный для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 40 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 0.3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0.5 Вт
• Корпус: PG-SOT-363
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока ограничен значением 0.3 А. Максимальная мощность рассеивания равна 0.5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 4000 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™. Корпус PG-SOT-363 обеспечивает компактность компонента. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 40 транзисторов.