Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC, SO8, 100 В, 0,9 А (комплект 30 шт.)

Комплект из 30 транзисторов Diodes Incorporated модели ZXMHC10A07N8TC в корпусе SO8. Это полупроводниковые компоненты типа N/P-MOSFET x2 с конфигурацией H-Bridge, предназначенные для поверхностного монтажа (SMD).

• Комплект из 30 транзисторов в корпусе SO8
• Тип N/P-MOSFET x2 с конфигурацией H-Bridge
• Напряжение сток-исток: 100 В / -100 В
• Ток стока: 0,9 А / -0,7 А
• Поверхностный монтаж (SMD)

Компактный корпус SMD

Транзисторы выполнены в стандартном корпусе SO8, что обеспечивает плотное размещение на печатных платах. Метод монтажа SMD позволяет автоматизировать процесс производства и уменьшить габариты конечного устройства. Такое решение является оптимальным для современной электроники, где важна минимизация площади.

Мощность рассеивания и сопротивление

Максимальная мощность рассеивания компонентов составляет 0,87 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,9/1,45 Ом. Эти параметры определяют тепловой режим работы транзисторов в схемах управления.

Напряжение и ток стока

Транзисторы работают с напряжением сток-исток 100 В для N-канала и -100 В для P-канала. Максимальный ток стока составляет 0,9 А и -0,7 А соответственно. Напряжение затвор-исток может достигать ±20 В, что обеспечивает гибкость в подборе драйверов управления.

Конфигурация H-Bridge

Внутренняя структура компонентов реализует функцию MOSFET H-Bridge, объединяющую N-канальные и P-канальные транзисторы в одном корпусе. Это упрощает разработку схем управления нагрузкой. Такая интеграция уменьшает количество внешних компонентов на плате.

Комплектация и применение