Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ30P03T1, -30В, -30А, SMD (WMQ30P03T1-CYG) — набор 40 шт.
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM157635
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ30P03T1, -30В, -30А, SMD (WMQ30P03T1-CYG) — набор 40 шт.В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMQ30P03T1 — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения. Компонент имеет максимальное напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -30 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
- Постоянный ток стока: -30 А, импульсный: -120 А
- Рассеиваемая мощность: 29,7 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 16 мОм
- Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и выдерживает постоянный ток стока -30 А. В импульсном режиме допустимый ток составляет -120 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 30 нКл. Сопротивление в открытом состоянии составляет 16 мОм.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность равна 29,7 Вт. Компонент выполнен в корпусе PDFN3030-8 для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация и монтаж
Товар поставляется набором из 40 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 29.7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴