Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090DNV6LG4, 65 В, 40 А, SMD (WMB090DNV6LG4-CYG) — набор 30 шт.
2 640 ₴
- В наличии
- Код: TM157601
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090DNV6LG4, 65 В, 40 А, SMD (WMB090DNV6LG4-CYG) — набор 30 шт.В наличии
2 640 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB090DNV6LG4 — это двойной N-MOSFET с напряжением сток-исток 65 В и током стока 40 А. Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 для монтажа SMD.
- Двойной N-MOSFET с напряжением 65 В и током 40 А
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 10,5 мОм
- Пиковый ток в импульсном режиме до 160 А
- Рассеиваемая мощность 27,8 Вт
- Компактный корпус PDFN5060-8 для SMD монтажа
- Заряд затвора 22,1 нКл
Параметры тока и напряжения
Постоянный ток стока составляет 40 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 160 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 27,8 Вт.
Электрические характеристики
Низкое сопротивление в открытом состоянии 10,5 мОм. Заряд затвора равен 22,1 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8. Тип монтажа: SMD. Максимальное напряжение сток-исток составляет 65 В.
Транзистор WAYON WMB090DNV6LG4 является компонентом для электронных схем.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 27.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 65 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 640 ₴