Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600 В, 5,7 А, TO220-3 — набор 10 шт.
2 900 ₴
- В наличии
- Код: TM156902
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600 В, 5,7 А, TO220-3 — набор 10 шт.В наличии
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z — это униполярный компонент с технологией SuperMesh™. Модель имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 5,7 А.
- Напряжение сток-исток 600 В
- Ток стока 5,7 А
- Мощность рассеивания 115 Вт
- Технология SuperMesh™
- Версия ESD
- Набор из 10 транзисторов в корпусе TO220-3
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В. Ток стока составляет 5,7 А. Напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В.
Мощность и сопротивление
Мощность рассеивания транзистора составляет 115 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,75 Ом. Компонент имеет обогащенный канал.
Технология и защита
Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Транзистор имеет версию ESD.
Корпус и комплектация
Транзистор имеет корпус TO220-3 с типом монтажа THT. Товар поставляется набором из 10 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 900 ₴