Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5, 650В, 10,7А, TO220FP (5 шт.)
2 140 ₴
- В наличии
- Код: TM156869
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5, 650В, 10,7А, TO220FP (5 шт.)В наличии
2 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 10,7 А
- Мощность рассеивания: 30 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 179 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ V
- Комплект: 5 шт.
Технические характеристики
Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения типа. Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, а постоянный ток стока — 10,7 А. Мощность рассеивания равна 30 Вт.
Особенности конструкции
Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ V. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 179 мОм. Корпус TO220FP.
Защита и комплектация
Версия ESD. В комплекте поставляется 5 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В. Прибор является униполярным.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 179 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ В |
Информация для заказа
- Цена: 2 140 ₴