Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4, 60 В, 42 А, D2PAK, SuperMesh™ (набор 10 шт.)
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM156858
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4, 60 В, 42 А, D2PAK, SuperMesh™ (набор 10 шт.)В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлена по технологии SuperMesh™, что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала. Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 42 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 16 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, защита ESD
- Количество в комплекте: 10 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 42 А. Рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Корпус и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 16 мОм. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD определяют способ установки компонента. Компонент имеет версию ESD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 42 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴