Транзистор ONSEMI SMUN5314DW1T1G, комплементарная пара NPN/PNP, SOT363, 50 В, 0,1 А (90 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM156692
Транзистор ONSEMI SMUN5314DW1T1G, комплементарная пара NPN/PNP, SOT363, 50 В, 0,1 А (90 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 90 биполярных транзисторов ONSEMI SMUN5314DW1T1G в корпусе SOT363. Это комплементарная пара NPN/PNP со встроенными резисторами, предназначенная для поверхностного монтажа (SMD).
- Комплект: 90 шт.
- Тип: комплементарная пара NPN/PNP
- Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Встроенные резисторы: 10 кОм / 47 кОм
Электрические параметры и мощность
Транзисторы имеют напряжение коллектор-эмиттер 50 В и максимальный ток коллектора 0,1 А. Коэффициент усиления (hFE) составляет 80...140, что определяет способность к усилению сигнала. Рассеиваемая мощность 0,25 Вт ограничивает тепловую нагрузку компонента.
Встроенные резисторы
Модель SMUN5314DW1T1G является транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor) со встроенными резисторами: база-эмиттер 10 кОм и эмиттер-база 47 кОм. Модель является транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor) со встроенными резисторами.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴