Тиристорный модуль SEMIKRON DANFOSS SKKT 57B12 E, 1200 В, 55 А (SKKT 57B12 E 07897651)

Тиристорный модуль SEMIKRON DANFOSS SKKT 57B12 E — это полупроводниковый компонент с двойной последовательной структурой. Модуль обеспечивает рабочий ток 55 А и выдерживает обратное напряжение до 1200 В.

• Рабочий ток 55 А
• Обратное напряжение до 1200 В
• Импульсный ток 1500 А
• Корпус SEMIPACK1
• Коннекторы FASTON

Надежность в силовых цепях

Модуль имеет двойную последовательную структуру полупроводника. Максимальный ток проводимости составляет 95 А, а импульсный ток — 1500 А.

Эффективное управление и монтаж

Электрическое соединение осуществляется через коннекторы FASTON и винтовые клеммы. Механическое крепление винтовое, модуль устанавливается в корпусе SEMIPACK1. Версия: A48.

Технические параметры

Максимальное напряжение проводимости составляет 1,65 В. Ток управления затвором (брамки) равен 150 мА.