Транзистор N-MOSFET Vishay SISS80DN-T1-GE3, 20V, 169A, PowerPAK 1212-8 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SISS80DN-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PowerPAK® 1212-8. Максимальный ток стока составляет 169 А, а в импульсном режиме — до 300 А.

• Ток стока: 169 А (постоянный), 300 А (импульсный)
• Напряжение сток-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 3 мОм
• Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
• Технология: TrenchFET®
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 169 А и импульсный ток до 300 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 20 В.

Электрические параметры

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 3 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 42 Вт.

Управление и заряд

Заряд затвора составляет 122 нКл. Допустимое напряжение затвор-исток находится в диапазоне от -8 до 12 В. Компонент является униполярным с каналом обогащения.

Поставляется набором из 10 штук.