Транзистор P-MOSFET VISHAY SI4948BEY-T1-GE3, комплект 20 шт., SO8, -60В
3 300 ₴
- В наличии
- Код: TM156302
Комплект из 20 транзисторов VISHAY SI4948BEY-T1-GE3 — это двойные P-канальные MOSFET-транзисторы в корпусе SO8. Они предназначены для поверхностного монтажа (SMD), максимальное напряжение сток-исток составляет -60 В.
- Комплект из 20 транзисторов
- Двойной P-MOSFET (x2) в одном корпусе
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -2,4 А (постоянный), -25 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,15 Ом
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
Двойной P-MOSFET в компактном корпусе
Транзистор имеет структуру P-MOSFET x2, что означает два отдельных P-канальных транзистора в одном корпусе SO8. Это означает два отдельных P-канальных транзистора в одном корпусе SO8. Технология TrenchFET®.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -60 В, а постоянный ток стока — -2,4 А. В импульсном режиме ток может достигать -25 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,15 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,95 Вт.
Удобство монтажа и комплектация
Компоненты выполнены для поверхностного монтажа (SMD). В комплект входит 20 штук транзисторов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.95 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 3 300 ₴