Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435FDY-T1-GE3, 30 шт., корпус SO8

Комплект из 30 транзисторов Vishay SI4435FDY-T1-GE3 типа P-MOSFET в корпусе SO8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение сток-исток -30 В, постоянный ток стока -12,6 А.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -12,6 А (постоянный), -32 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 4,8 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 30 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Комплектация: 30 шт.

Тип и полярность

Компонент является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что транзистор закрыт при нулевом напряжении на затворе и открывается при подаче отрицательного напряжения. Такая полярность определяет схему подключения в цепях с отрицательным напряжением питания.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -30 В. Постоянный ток стока равен -12,6 А, а в импульсном режиме он может достигать -32 А. Максимальное напряжение на затворе относительно истока ограничено значением ±20 В.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 4,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 30 мОм. Общий заряд затвора (Qg) — 28 нКл.