Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, 30 В, 5,8 А, SOT23 (40 шт.)
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM156296
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, 30 В, 5,8 А, SOT23 (40 шт.)В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3 — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 шт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 5,8 А
- Максимальная мощность рассеивания: 1,3 Вт
- Корпус: SOT23 (SMD монтаж)
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а ток стока — 5,8 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена 1,3 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Импульсный ток может достигать 20 А.
Импульсные характеристики и заряд затвора
Импульсный ток стока составляет 20 А. Заряд затвора составляет 10 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴