Диодный модуль SMC DIODE SOLUTIONS S4D80120S2, SiC, 1,2 кВ, 82 А

Диодный модуль SMC DIODE SOLUTIONS S4D80120S2 — это полупроводниковый компонент на технологии SiC, диодный модуль с двойной независимой структурой.

• Технология SiC
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Ток проводимости 41 А x2 (общий 82 А)
• Корпус SOT227
• Двойная независимая структура диодов
• Импульсный ток до 245 А

Высокое напряжение и ток

Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Ток проводимости — 41 А на каждый из двух независимых диодов, общий максимальный ток — 82 А.

Технология SiC и корпус SOT227

Технология изготовления — SiC. Корпус — SOT227. Механическое и электрическое крепление — винтовое.

Структура и импульсные характеристики

Структура — двойная независимая. Максимальный импульсный ток — 245 А. Тип модуля — диодный, свойства — Шоттки.