Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0016120K SiC 140A TO247-4

Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS с моделью S2M0016120K. Это силовой компонент на основе карбида кремния (SiC) с током 140A.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Ток стока 140A (импульсный 314A)
• Рассеиваемая мощность 714W
• Корпус TO247-4 с выводом Кельвина
• Сопротивление в открытом состоянии 16mΩ

Технология SiC

Компонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Это определяет его физические и электрические свойства как полупроводникового прибора.

Электрические параметры

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 714W, а импульсный ток — 314A. Номинальный ток стока равен 140A.

Корпус и монтаж

Корпус TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — THT. Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20V. Сопротивление в открытом состоянии — 16mΩ.