Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E120GNTB, 30 В, 27 А, HSMT8 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E120GNTB — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 27 А. Комплект содержит 40 компонентов в корпусе HSMT8 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 27 А (импульсный до 48 А)
• Рассеиваемая мощность: 15 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 13,8 мОм
• Корпус: HSMT8, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 40 шт.

Управление и заряд затвора

Транзистор управляется напряжением затвор-исток в диапазоне ±20 В. Общий заряд затвора составляет 10 нКл.

Мощность и ток

Номинальный постоянный ток стока составляет 27 А, а импульсный ток может достигать 48 А. Рассеиваемая мощность транзистора — 15 Вт. Эти параметры определяют нагрузку, которую компонент может выдержать в рабочем режиме.

Сопротивление и напряжение

Максимальное напряжение сток-исток равно 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 13,8 мОм.