Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080BNTR, 30V, 8A, DFN2020-8S (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080BNTR — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 8 А при напряжении 30 В. Товар поставляется комплектом из 40 штук в корпусе DFN2020-8S для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 8 А (постоянный), 32 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 17,6 мОм
• Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
• Комплект: 40 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток (drain-source) 30 В и постоянным током стока 8 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 32 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 17,6 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе DFN2020-8S, который подходит для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт.

Заряд затвора и напряжение управления

Заряд затвора составляет 14,5 нКл. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно ±20 В.