Транзистор N-MOSFET x2 ROHM QS6K1TR, 30 В, 1 А, TSMT6, ESD, комплект 20 шт.
1 880 ₴
- В наличии
- Код: TM156025
Комплект из 20 транзисторов ROHM QS6K1TR типа N-MOSFET x2 в корпусе TSMT6. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с напряжением до 30 В и током до 1 А.
- Тип: N-MOSFET x2 (два транзистора в одном корпусе)
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 1 А (импульсный до 4 А)
- Корпус: TSMT6, монтаж SMD
- Версия ESD
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 1 А. В импульсном режиме ток может достигать 4 А, а рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 364 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TSMT6 с технологией монтажа SMD. Это позволяет разместить два N-MOSFET транзистора в одном корпусе. Версия компонента обозначена как ESD.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов. Символ производителя QS6K1TR соответствует модели ROHM SEMICONDUCTOR. Транзисторы являются униполярными с каналом типа «обогащенный». Напряжение на затворе-истоке составляет ±12 В, а заряд затвора — 1,7 нКл.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 364 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TSMT6 |
- Цена: 1 880 ₴
