Транзистор P-MOSFET PanJit PJW4P06A-AU_R2, SOT223, -60В, -4А (PJW4P06A-AU_R2_007A1) — набор 30 шт.

P-канальный MOSFET-транзистор PanJit PJW4P06A-AU_R2 в корпусе SOT223 для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение сток-исток -60 В и постоянный ток стока -4 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -4 А, импульсный: -16 А
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 3,1 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,13 Ом
• Напряжение затвор-исток: ±20 В
• Заряд затвора: 10 нКл

Электрические параметры и канал

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -60 В и напряжение затвор-исток ±20 В. Ток стока составляет -4 А, а импульсный ток стока достигает -16 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,13 Ом. Это униполярный P-MOSFET с обогащаемым каналом.

Мощность и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 3,1 Вт. Компонент выполнен в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Заряд затвора равен 10 нКл.

Комплектация и применение

Товар поставляется набором из 30 транзисторов. Компонент соответствует требованиям автомобильной промышленности.